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3SK160 UL 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
13v |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 3SK160 |
UL |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-143/SOT-24/SC-61 |
4000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 3SK162IT |
IT |
HITACHI |
05+ |
SOT-143/MPAK-4 |
400 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 3SK162IT |
IT |
HITACHI |
05+ |
SOT-143/MPAK-4 |
6000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 3SK163 |
L1 |
SANYO |
05+ |
SOT-143/CP4 |
100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 3SK166A |
KA |
SONY |
05+ |
SOT-143/M-254 |
0 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
| 3SK164 |
F |
SANYO |
05+ |
SOT-143/CP4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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