3SK153 UI 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
13.5V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.5-1/-1-1 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS VHF WIDE BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure |
| 描述与应用 |
特性 硅N沟道双栅MOS FET 电视调谐器甚高频混频器应用 甚高频宽频带RF放大器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数 |
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