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3LN02C
 型号：  3LN02C
 标记/丝印/代码/打字：  YD
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+NOPB400
 库存数量：  7200
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3LN02C YD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.9Ω/Ohm @150mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications SANYO Semiconductors N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features Silicon N-Channel MOS FET General-Purpose Switching Device Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用 三洋半导体 N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特性 硅N沟道MOS FET 通用开关设备应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动
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