2SK536 BJ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
20Ω/Ohm @10A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.3-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL Enhancement MOS Silicon FET Analog Switching application Features N-Channel Enhancement MOS Silicon FET Analog Switch Application Large Yfs Small ON resistance |
| 描述与应用 |
N沟道增强型MOS FET硅 模拟开关应用 特性 N沟道增强MOS FET硅 模拟开关应用 大Yfs 小通态电阻 |
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