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2SK431
 型号：  2SK431
 标记/丝印/代码/打字：  IHD
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-23/SC-59/MPAK
 批号：  05+
 库存数量：  12000
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK431 IHD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 40v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -40v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 4~8ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.13~-1.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications ?Silicon N-Channel Junction FET low frequency low noise amplifier
描述与应用 ?硅N沟道结型场效应管 低频低噪声放大器
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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