2SK3656 WC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
7.5V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
3.5V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.2-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
3W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications ? Output power: PO =28.4dBmW (typ) ? Gain: GP = 15.4dB (typ) ? Drain efficiency: ηD = 64% (typ) Features VHF- and UHF-band Amplifier Applications Output power: PO =28.4dBmW (typ) Gain: GP = 15.4dB (typ) Drain efficiency: ηD = 64% (typ) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 VHF和UHF频段放大器的应用 ?输出功率：：PO=28.4dBmW（典型值）。 ?增益：GP=15.4分贝（典型值） ?排水效率：ηD=64％（典型值） 特性 VHF和UHF频段放大器的应用 输出功率：PO=28.4dBmW（典型值） 增益：GP=15.4分贝（典型值） 漏极效率：ηD=64％（典型值） |
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