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2SK360IGE
 型号：  2SK360IGE
 标记/丝印/代码/打字：  IGE
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK360IGE IGE 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 5V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier
描述与应用 硅N沟道MOS场效应管高频放大器 特性 硅N沟道MOS FET VHF放大器
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