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2SK3492
 型号：  2SK3492
 标记/丝印/代码/打字：  K3492
 厂家：  SANYO
 封装：  TO-252/TP-FA
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  17
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3492 K3492 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.115Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications N-channel silicon MOSFET general -purpose switching device application Features General-purpose Switching device Applications Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 4Vdrive
描述与应用 N沟道硅MOSFET 通用开关设备中的应用 特性 通用开关设备应用 低导通电阻 超高速开关 4V驱动器
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