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2SK3397
 型号：  2SK3397
 标记/丝印/代码/打字：  K3397
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3397 K3397 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 70A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 4Ω/Ohm @35A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 125W
Description & Applications Features Relay Drive and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 4.0 m? (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 特性 继电器驱动器和DC-DC转换器应用 电机驱动应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 4.0mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=110 S（典型值） 低漏电流：IDSS= 10μA（最大值）（VDS= 30 V） 增强模式：VTH =1.5?3.0 V（VDS=10V，ID= 1毫安）
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