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2SK3348
 型号:  2SK3348
 标记/丝印/代码/打字:  CN
 厂家:  RENESAS
 封装:  SOT-323/SC-70/CMPAK
 批号:  06+NOPB
 库存数量:  1000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3348 CN 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.6Ω/Ohm @50mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 1.6 typ (VGS= 4 V , ID = 50 mA) RDS= 2.2 typ(VGS= 2.5 V , ID = 50 mA) 2.5 V gate drive device Small package (CMPAK)
描述与应用 硅N沟道MOS场效应管的高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=1.6典型值(VGS=4 V,ID=50毫安) RDS=2.2(典型值)(VGS= 2.5V,ID= 50毫安) 2.5 V门驱动装置 小型封装(CMPAK)
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2SK3348 CN RENESAS 06+NOPB SOT-323/SC-70/CMPAK 1000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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2SK3342 K3342 TOSHIBA 11+ROHS TO-252 0 场效应管FET 查看

 

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