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型号: |
2SK3290BN |
标记/丝印/代码/打字: |
BN |
厂家: |
HITACHI |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
04+ |
库存数量: |
1200 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3290BN BN 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/0.5A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.455Ω/Ohm @250mA,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1.3-2.3V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
Description & Applications |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 0.455 ? typ (VGS=10V , ID = 250 mA) RDS=0.9 ? typ(VGS= 4 V , ID = 100 mA) 4 V gate drive device Small package (MPAK) |
描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=0.455Ω(典型值)(VGS= 10V,ID=250毫安) RDS=0.9Ω(典型值)(VGS=4 V,ID= 100毫安) 4 V栅极驱动装置 小型封装(MPAK) |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SK3290BN |
BN |
HITACHI |
04+ |
SOT-23/SC-59 |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3291 |
KX |
SANYO |
05+NOPB550 |
SOT-89/SC-62/PCP |
1050 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3292 |
KY |
SANYO |
12+ROHS |
SOT-89/SC-62/PCP |
900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3293 |
KZ |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3293-TD-E |
KZ |
SANYO |
04NOPB |
SOT-89/SC-62/PCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3290BNTL |
BN |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
6000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3292-TD-E |
KY |
SANYO |
08nopb |
SOT-89/SC-62/PCP |
4000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3291 |
KX |
SANYO |
05+NOPB |
SOT-89/SC-62/PCP |
1000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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