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2SK3289
 型号:  2SK3289
 标记/丝印/代码/打字:  AN
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-323/SC-70/CMPAK
 批号:  05+
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3289 AN 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.26Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.3-2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 400mW/0.4W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 1.26? typ(at VGS=10V , ID =150mA) RDS= 2.8? typ(at VGS=4V , ID =50mA) 4V gate drive device Small package (CMPAK)
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=1.26Ω(典型值)(VGS= 10V,ID=150毫安) RDS=2.8Ω典型值(VGS=4V,ID=50毫安) 4V栅极驱动器 小型封装(CMPAK)
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