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2SK322WR WR 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
15v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-15v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
20~32ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-3v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
?Silicon N-Channel Junction FET ?HF wide band amplifier |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 ?HF宽频带放大器 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK322WR |
WR |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK322WR |
WR |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59/MPAK |
100 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
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