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2SK3210
 型号：  2SK3210
 标记/丝印/代码/打字：  K3210
 厂家：  RENESAS
 封装：  TO-263
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3210 K3210 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 150V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 30A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.04Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 100W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS = 40 m? typ High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS=40MΩ（典型值） 高速开关 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源
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