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型号: |
2SK3113-Z-E2 |
标记/丝印/代码/打字: |
K3113 |
厂家: |
NEC |
封装: |
TO-252/D-PAK |
批号: |
04+ |
库存数量: |
20 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3113-Z-E2 K3113 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
600V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.3Ω/Ohm @1A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
2.5-3.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state resistance RDS(on) = 4.4 ? MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A) Low gate charge QG = 9 nC TYP(VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Gate voltage rating ±30 V Avalanche capability ratings |
描述与应用 |
MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS(ON)=4.4Ω最大。 (VGS=10 V,ID=1.0 A) 低栅极电荷Qg= 9 NC 典型值(VDD=450 V,VGS=10V,ID= 2.0 A) 门的额定电压±30 V 雪崩能力额定值 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SK3105 |
XA |
NEC |
02+ |
SOT-23/SC-59 |
21000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3105 |
XA |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
5900 |
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2SK3107 |
D1 |
NEC |
03/05+ |
SOT-523/SC-75 |
42000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3113-Z-E2 |
K3113 |
NEC |
04+ |
TO-252/D-PAK |
20 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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2SK3119 |
KS |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
500 |
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2SK3119 |
KS |
SANYO |
6RNOPB |
SOT-89/SC-62/PCP |
8900 |
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2SK3121 |
KU |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
0 |
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2SK3121 |
KU |
SANYO |
05+ |
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400 |
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KQ |
Panasonic |
05+ |
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2SK3107 |
D1 |
NEC |
07NOPB100 |
SOT-523/SC-75 |
3100 |
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2SK316-Q |
1KQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
300 |
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