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2SK3019
 型号：  2SK3019
 标记/丝印/代码/打字：  KN
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-523/SC-75/EMT3
 批号：  05+nopb500
 库存数量：  830
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3019 KN 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 5Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Features 2.5V Drive Nch MOS FET Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment Drive circuits can be simple Parallel use is easy
描述与应用 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 特性 2.5V驱动N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于便携式设备 驱动电路可以很简单 并行使用容易
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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