2SK3000 ZY 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
40V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.25Ω/Ohm @450mA,4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.1-2.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
| Description & Applications |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.25? (VGS= 10 V, ID = 450 mA) 4V gate drive devices Small package (MPAK) Expansive drain to source surge power capability |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=0.25Ω（VGS= 10 V，ID=450毫安） 4V栅极驱动装置 小型封装（MPAK） 膨胀漏源浪涌功率能力 |
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