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2SK2973
 型号：  2SK2973
 标记/丝印/代码/打字：  K1
 厂家：  MITSUBISHI
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2973 K1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 17V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.5W
Description & Applications MITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION 2SK2973 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF power amplifiers applications. Features MITSUBISHI RF POWER MOS FET High power gain:Gpe313dB@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm High efficiency:55% typ Source case type SOT-89 package(connected internally to source)
描述与应用 三菱射频功率MOS FET 说明 2SK2973是MOS FET型晶体管专门设计用于 VHF/ UHF功率放大器应用。 特性 三菱射频功率MOS FET 高功率增益：GPE313分贝@ VDD=9.6V，F =450MHz的，针=17dBm的 高效率：55％（典型值） 源案件类型SOT-89封装（内部连接到源）
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