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2SK2926
 型号：  2SK2926
 标记/丝印/代码/打字：  K2926
 厂家：  RENESAS
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2926 K2926 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.042Ω/Ohm @8A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 25W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.042? typ 4V gate drive devices High speed switching
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻RDS（ON）=0.042Ω典型 4V栅极驱动装置 高速开关
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