2SK2795 DX 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
10V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
6V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
170mA/0.17A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.3-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier High power output, High gain, High effeciency PG = 11dB, Pout = 24dBm, ηD = 40 %min. (f = 836.5MHz) Compact package capable of surface mounting |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 特性 硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 高输出功率，增益高，生产效率高PG=11分贝，输出功率为24dBm，ηD= 40％以上。 （F=836.5MHz） 紧凑封装，能够表面安装 |
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