2SK2596 BX 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
17V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
400mA/0.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
3W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier High power output, High gain, High efficiency Compact package capable of surface mounting |
| 描述与应用 |
硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道结型场效应管 对于开关的低频放大 特性 硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 高输出功率，高增益，高效率 紧凑封装，能够表面安装 |
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