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2SK2463
 型号：  2SK2463
 标记/丝印/代码/打字：  KC
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/SC-62/MPT3
 批号：  05+08NOPB1700
 库存数量：  1950
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2463 KC 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.3Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Small switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features Silicon N-channel MOSFET Low on-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to parallel
描述与应用 小开关（60V，2A） 硅N沟道MOSFET 特性 硅N沟道MOSFET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 低电压驱动（4V） 容易驱动电路设计 易于并行
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