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2SK2376
 型号：  2SK2376
 标记/丝印/代码/打字：  K2376
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-263
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2376 K2376 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 45A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 13Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 100W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L 2?π?MOSV) Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 13 m? (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 40 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V) Enhancement?mode
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（L 2-π-MOSV） 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻RDS（ON）= 13mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=40 S（典型值） 低漏电流：IDSS=100μA（最大值）（VDS=60 V） 增强型
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