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2SK210-GR YG 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
18v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-18v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
6~14ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-1.2~-3v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
?Silicon N-Channel Junction FET |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK210-GR |
YG |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK210-GR |
YG |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
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