2SK2015 K2015 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
150V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.7Ω/Ohm @2A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
750mW/0.75W |
| Description & Applications |
Silicon N-channel Power F-mos Features Silicon N-Channel Power F-MOS High-speed switching No secondary breakdown For low-voltage drive Taping supply possible |
| 描述与应用 |
硅N沟道功率F-MOS 特性 硅N沟道功率F-MOS 高速开关 无二次击穿 对于低电压驱动 盘带供应可能 |
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