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2SK2015
 型号：  2SK2015
 标记/丝印/代码/打字：  K2015
 厂家：  Panasonic
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2015 K2015 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 150V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.7Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 750mW/0.75W
Description & Applications Silicon N-channel Power F-mos Features Silicon N-Channel Power F-MOS High-speed switching No secondary breakdown For low-voltage drive Taping supply possible
描述与应用 硅N沟道功率F-MOS 特性 硅N沟道功率F-MOS 高速开关 无二次击穿 对于低电压驱动 盘带供应可能
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