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2SK1945
 型号:  2SK1945
 标记/丝印/代码/打字:  K1945
 厂家:  FUJI
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1945 K1945 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 900V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 80W
Description & Applications FAP-IIA Series Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用 FAP-IIA系列 开关稳压器 UPS DC-DC转换器 通用功率放大器 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 无二次击穿 低驱动功率 高电压 VGS=±30V保证 防雪崩
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