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2SK1931
 型号：  2SK1931
 标记/丝印/代码/打字：  K1931
 厂家：  shindengen
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  1285
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1931 K1931 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.45Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2-4V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications N-Channel Enhancement type Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用 N沟道增强型 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动
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