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2SK1920-TL
 型号:  2SK1920-TL
 标记/丝印/代码/打字:  K1920
 厂家:  SANYO
 封装:  TO-252/TP-FA
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1920-TL K1920 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 500Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications N-Channel Enhancement type Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用 N沟道增强型 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动
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