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2SK1918STR
 型号：  2SK1918STR
 标记/丝印/代码/打字：  K1918
 厂家：  HITACHI
 封装：  TO-263
 批号：  05+
 库存数量：  1000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1918STR K1918 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.03Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.25V
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
描述与应用 硅N沟道MOS FET 应用 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动器用5V电源驱动 适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器 雪崩等级
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