2SK1842-P EB.P 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
40V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.3-3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL MOS SILICON FET Very high speed switching application Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive |
| 描述与应用 |
N沟道MOS硅场效应管 非常高速开关应用 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动 |
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