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2SK1826
 型号：  2SK1826
 标记/丝印/代码/打字：  KH
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+ROHS
 库存数量：  3100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1826 KH 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 20Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION ANALOG SWITCHING APPLICATION Features Silicon N-Channel MOS FET High speed switching application Analog switching application 4V gate drive Low threshold voltage High speed Enhancement-mode small package
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 4V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
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