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2SK1658
 型号：  2SK1658
 标记/丝印/代码/打字：  G20
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  1940
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1658 G20 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 18Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.9-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications N-Channel MOS FET FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 3V power supply Has low gate leakage current,it is suitable for filter circuit
描述与应用 N沟道MOS FET的切换 特性 N沟道MOS FET作开关 直接被带有3V电源的IC驱动 具有低栅极泄漏电流，这是适用于滤波电路
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