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2SK1646
 型号：  2SK1646
 标记/丝印/代码/打字：  IW4
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-143/CP4
 批号：  05+
 库存数量：  8800
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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2SK1646 IW4 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -5V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 30mA-50mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.5V -- -5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-Channel GaAs MESFET. For C to X-band Local Oscillator and Amplifier. Features .Ideal for use in C to X-band local oscillator and amplifier. .The chip surface is covered with the highly reliable protection film. .Super miniaturized plastic-mold package (CP4). .Automatic surface mounting is available
描述与应用 砷化镓N沟道MES场效应管, 用于C X-波段本地振荡器和放大器, 非常适于用于C X波段的本地振荡器和放大器, 该芯片的表面覆盖有高度可靠的保护膜, 超小型塑料模具封装（CP4）, 自动表面安装.
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