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2SK1591
 型号:  2SK1591
 标记/丝印/代码/打字:  G18
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1591 G18 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 4.8Ω/Ohm @10mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Has high voltage and high-speed switching characteristics
描述与应用 N沟道MOS FET的切换 直接被带有5V电源的IC驱动 不必考虑驱动电流,因为它的高输入阻抗 具有高电压和高速开关特性
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