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2SK1582
 型号：  2SK1582
 标记/丝印/代码/打字：  G15
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1582 G15 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.4Ω/Ohm @10mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor
描述与应用 N沟道MOS FET作开关 直接用带有5V电源IC驱动 不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗 能够减少部件的数量通过省略偏置电阻
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