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2SK1334BY
 型号：  2SK1334BY
 标记/丝印/代码/打字：  BY
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-89/UPAK
 批号：  09NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1334BY BY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.5Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2-4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Silicon N Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N Channel MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary Breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 无二次击穿 适用于开关稳压器和DC-DC转换
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