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2SK1151S
 型号：  2SK1151S
 标记/丝印/代码/打字：  K1151
 厂家：  HITACHI
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  30
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1151S K1151 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 450V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.5Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 无二次击穿 适用于开关稳压器和DC-DC转换
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