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2SK1112
 型号：  2SK1112
 标记/丝印/代码/打字：  K1112
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  700
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1112 K1112 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.12Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications Features Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications
描述与应用 特性 场效应晶体管 硅N沟道MOS型 高速，高电流DC-DC转换器 继电器驱动器和电机驱动应用
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