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2SK1070 PID 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
22v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-22v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
18~30ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-2.5v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
?Silicon N-Channel Junction FET ?Low frequency / High frequency amplifier |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 ?低频/高频放大器 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK1070 |
PID |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1070 |
P1D |
HITACHI |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1070 |
PIC |
HITACHI |
04+ |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1078 |
Z3 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89/PW-Mini |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1078 |
Z3 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89/PW-Mini |
1744 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1079 |
Z4 |
TOSHIBA |
10+ROHS |
SOT-89/PW-Mini |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1079 |
Z4 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89/PW-Mini |
100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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