2SJ576APTL-E AP 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.28Ω @-50mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.3--2.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Features ?Low on-resistance RDS=2.8 ? typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA)RDS=5.7 ? typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) ?4 V gate drive device. ?Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS=2.8Ω（典型值）。 （VGS= -10V， ID= -50毫安）RDS=5.7Ω（典型值）（VGS=-4 V，ID=-50毫安） ?4 V栅极驱动装置。 ?采用小型封装（CMPAK）， |
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