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2SJ574BP
 型号:  2SJ574BP
 标记/丝印/代码/打字:  BP
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  15000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ574BP BP 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.1Ω @-150mA,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.3--2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 400mW/0.4W
Description & Applications Features ?Low on-resistance RDS = 1.1 typ. (VGS= -10 V , ID = -150 mA) RDS= 2.2 typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) ?4 V gate drive device. ?Small package (MPAK)
描述与应用 ?低导通电阻 RDS=1.1(典型值)。 (VGS=-10V,ID= -150毫安) RDS=2.2(典型值)。 (VGS=-4 V,ID= -150毫安) ?4 V栅极驱动装置。 ?小型封装(MPAK)
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