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2SJ536
 型号：  2SJ536
 标记/丝印/代码/打字：  2C
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ536 2C 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.05Ω @-10mA,-5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. low-voltage drive (Vth-1 to 2V) Low Ron
描述与应用 高速开关 S-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动（阈值电压，1?2V）低朗
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