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2SJ486ZU
 型号：  2SJ486ZU
 标记/丝印/代码/打字：  ZU
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+nopb
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ486ZU ZU 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -0.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.5Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.18 ? typ. (at VGS = –10V, ID = –1A) ? Low drive current ? High speed switching ? 4V gate drive devices.
描述与应用 ?低导通电阻 RDS（ON）=0.18Ω（典型值）。（VGS=10V，ID=-1A） ?低驱动电流 ?高速开关 ?4V栅极驱动装置。
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