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型号: |
2SJ462 |
标记/丝印/代码/打字: |
UA3 |
厂家: |
NEC |
封装: |
SC-84 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
2450 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ462 UA3 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.5A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.136Ω @-1A,4V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.7--1.3V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
Description & Applications |
FEATURES ? Can be driven by a 2.5 V power source. ? New-type compact package. Has advantages of packages for small signals and for power transistors, and compensates those disadvantages. ? Low on-state resistance. RDS(ON) : 0.29 ? MAX. @VGS = –2.5 V, ID = –0.5 A RDS(ON) : 0.19 ? MAX. @VGS = –4.0 V, ID = –1.0 A |
描述与应用 |
?可以由一个2.5 V电源。 ?新型的紧凑型封装。 包小信号和电源具有优势 晶体管和补偿这些缺点。 ?低通态电阻。 RDS(ON):0.29Ω最大。 @ VGS= -2.5 V,ID=-0.5 A RDS(ON):0.19Ω最大。 @ VGS= -4.0 V,ID= -1.0à |
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型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
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数量 |
描述 |
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