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2SJ439
 型号：  2SJ439
 标记/丝印/代码/打字：  J439
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252/DPAK
 批号：  05+
 库存数量：  920
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ439 J439 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.14Ω @-2.5A,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications 2.5 V gate drive Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 0.18 ? (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = ?100 μA (max) (VDS = ?16 V) Enhancement?mode : Vth = ?0.5~?1.1 V (VDS = ?10 V, ID = ?1 mA)
描述与应用 2.5 V门极驱动器 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.18Ω典型值） 高正向转移导纳：| YFS|= 6.0 S（典型值） 低漏电流：IDSS=-100μA（最大值（VDS=-16 V） 增强模式：VTH =-0.5?-1.1 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安）
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