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型号： |
2SJ412 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
J412 |
| 厂家： |
TOSHIBA |
| 封装： |
TO-220FL/SM |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
0 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
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2SJ412 J412 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-16A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.15Ω @-6A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
60W |
| Description & Applications |
TOSHIBA field effect transistor silicon p channel MOS type high speed,high current switching applications chopper regulator,DC-DC converter and motor drive applications 4-V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速，高电流开关应用 削波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 4-V栅极驱动器 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ412 |
J412 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-220FL/SM |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ416 |
JJ |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ416 |
JJ |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ417 |
J417 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
2300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ418 |
J418 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
150 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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