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型号: |
2SJ358 |
标记/丝印/代码/打字: |
UA2 |
厂家: |
NEC |
封装: |
SC-84 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
2000 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ358 UA2 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.18Ω @-1.5A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
Description & Applications |
FEATURES ? New-type compact package Has advantages of packages for small signals and for power transistors, and compensates those disadvantages ? Can be directly driven by an IC operating at 5 V. ? Low on-resistance RDS(ON) = 0.35 ? MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.5A RDS(ON) = 0.20 ? MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.5 A |
描述与应用 |
?新型的紧凑型封装 包小信号和具有优势 功率晶体管,并弥补这些缺点 ?可直接驱动IC工作在5 V。 ?低导通电阻 RDS(ON)= 0.35Ω最大。 @ VGS=-4 V,ID=-1.5à RDS(ON)= 0.20Ω最大。 @ VGS=-10V,ID=-1.5à |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
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05+ |
SOT-89/SC-62 |
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