2SJ325-Z-E1 J325 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.08Ω @-2A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode |
| 描述与应用 |
MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管 |
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