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2SJ285 BM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
15V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.25A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
2.2Ω @-250mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
Low ON resistance Very high-speed switching Low voltage drive |
| 描述与应用 |
低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ281 |
J281 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ281 |
J281 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ284 |
AM |
SANYO |
05+4rnopb |
SOT-23/SC-59 |
15000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ284 |
AM |
MITSUBISHI |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
2310 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ285 |
BM |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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