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2SJ278MY
 型号：  2SJ278MY
 标记/丝印/代码/打字：  MY
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-89/SC-62/UPAK
 批号：  05+
 库存数量：  60
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ278MY MY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.7Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.25V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source ? Suitable for switching regulator, DC-DC converter
描述与应用 ?低导通电阻 ?高速开关 ?低驱动电流 ?4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源 ?适用于开关稳压器，DC-DC转换
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